Gallija arsenīda GaAs

Apraksts

Gallija arsenīdsGaAs ir III-V grupas tiešās joslas spraugas savienojuma pusvadītājs, kas sintezēts ar vismaz 6N 7N augstas tīrības gallija un arsēna elementu, un ar VGF vai LEC procesu izaudzēts kristāls no augstas tīrības polikristāliskā gallija arsenīda, pelēkas krāsas izskats, kubiski kristāli ar cinka maisījuma struktūru.Leģējot oglekli, silīciju, telūru vai cinku, lai iegūtu attiecīgi n-tipa vai p-tipa un daļēji izolējošu vadītspēju, cilindrisku InAs kristālu var sagriezt un izgatavot tukšā un plāksnītē grieztā, kodinātā, pulētā vai epilētā veidā. - gatavs MBE vai MOCVD epitaksiālai augšanai.Gallija arsenīda vafeles galvenokārt izmanto, lai izgatavotu elektroniskas ierīces, piemēram, infrasarkanās gaismas diodes, lāzerdiodes, optiskos logus, lauka efekta tranzistoru FET, lineāros digitālos IC un saules baterijas.GaAs komponenti ir noderīgi īpaši augstās radio frekvencēs un ātrās elektroniskās komutācijas lietojumprogrammās, vāju signālu pastiprināšanas lietojumprogrammās.Turklāt gallija arsenīda substrāts ir ideāls materiāls RF komponentu, mikroviļņu frekvenču un monolītu IC, kā arī gaismas diožu ierīču ražošanai optiskajās komunikācijās un vadības sistēmās, lai nodrošinātu tās piesātināto zāles mobilitāti, lielu jaudu un temperatūras stabilitāti.

Piegāde

Gallija Arsenīda GaAs uzņēmumā Western Minmetals (SC) Corporation var piegādāt kā polikristālisku gabaliņu vai monokristālu vafeles grieztās, kodinātās, pulētās vai epi-gatavās vafelēs, kuru izmērs ir 2”3”4” un 6” (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) diametrs, ar p veida, n veida vai daļēji izolējošu vadītspēju un <111> vai <100> orientāciju.Pielāgotā specifikācija ir ideāls risinājums mūsu klientiem visā pasaulē.

Izmeklēšana tagad

Sīkāka informācija

Tagi

Tehniskā specifikācija

Gallija arsenīds

GaAs

Gallija arsenīda GaAsvafeles galvenokārt izmanto elektronisku ierīču, piemēram, infrasarkano gaismas diožu, lāzerdiožu, optisko logu, lauka efekta tranzistoru FET, lineāro digitālo IC un saules bateriju ražošanai.GaAs komponenti ir noderīgi īpaši augstās radio frekvencēs un ātrās elektroniskās komutācijas lietojumprogrammās, vāju signālu pastiprināšanas lietojumprogrammās.Turklāt gallija arsenīda substrāts ir ideāls materiāls RF komponentu, mikroviļņu frekvenču un monolītu IC, kā arī gaismas diožu ierīču ražošanai optiskajās komunikācijās un vadības sistēmās, lai nodrošinātu tās piesātināto zāles mobilitāti, lielu jaudu un temperatūras stabilitāti.

Nē.	Preces	Standarta specifikācija
1	Izmērs	2"	3"	4"	6"
2	Diametrs mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5
3	Augšanas metode	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Vadītspējas veids	N-tipa/Si vai Te-leģēts, P-tips/Zn-leģēts, daļēji izolējošs/neleģēts
5	Orientēšanās	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°
6	Biezums μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Orientācija Plakans mm	17±1	22±1	32±1	Iecirtums
8	Identifikācija Plakans mm	7±1	12±1	18±1	-
9	Pretestība Ω-cm	(1-9)E(-3) p veidam vai n tipam, (1-10)E8 daļēji izolācijai
10	Mobilitāte cm2/vs	50-120 p-tipam, (1-2.5)E3 n-tipam, ≥4000 daļēji izolācijai
11	Nesēja koncentrācija cm-3	(5-50)E18 p veidam, (0,8-4)E18 n tipam
12	TTV μm maks	10	10	10	10
13	Priekšgala μm maks	30	30	30	30
14	Velku μm maks	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Virsmas apdare	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Iepakošana	Viena vafeļu tvertne, kas noslēgta alumīnija kompozītmateriālu maisiņā.
18	Piezīmes	Pēc pieprasījuma ir pieejama arī mehāniskās kvalitātes GaAs vafele.

Lineārā formula	GaAs
Molekulārais svars	144.64
Kristāla struktūra	Cinka maisījums
Izskats	Pelēka kristāliska cieta viela
Kušanas punkts	1400°C, 2550°F
Vārīšanās punkts	N/A
Blīvums pie 300K	5,32 g/cm³
Enerģijas plaisa	1,424 eV
Iekšējā pretestība	3,3E8 Ω-cm
CAS numurs	1303-00-0
EK numurs	215-114-8

Gallija arsenīda GaAsWestern Minmetals (SC) Corporation var piegādāt kā polikristālisku gabaliņu vai viena kristāla vafeles grieztās, kodinātās, pulētās vai epi-gatavās vafelēs 2” 3” 4” un 6” (50 mm, 75 mm, 100 mm) izmērā. , 150 mm) diametrs, ar p veida, n veida vai daļēji izolējošu vadītspēju un <111> vai <100> orientāciju.Pielāgotā specifikācija ir ideāls risinājums mūsu klientiem visā pasaulē.