Gallija antimonīda GaSb

Apraksts

Gallija antimonīda GaSb, III-V grupas savienojumu pusvadītājs ar cinka maisījuma režģa struktūru, tiek sintezēts ar 6N 7N augstas tīrības gallija un antimona elementiem un ar LEC metodi izaudzēts līdz kristālam no virziensaldēta polikristāliska lietņa vai VGF metodes ar EPD<1000cm^-3.GaSb plāksni var sagriezt un pēc tam izgatavot no viena kristāliska lietņa ar augstu elektrisko parametru viendabīgumu, unikālām un nemainīgām režģa struktūrām un zemu defektu blīvumu, augstāko refrakcijas indeksu nekā lielākajai daļai citu nemetālisku savienojumu.GaSb var apstrādāt ar plašu izvēli precīzā vai izslēgtā orientācijā, zemā vai augstā leģētā koncentrācijā, labu virsmas apdari un MBE vai MOCVD epitaksiālo augšanu.Gallija antimonīda substrāts tiek izmantots visprogresīvākajos fotooptikas un optoelektronikas lietojumos, piemēram, fotodetektoru, infrasarkano staru detektoru ar ilgu kalpošanas laiku, augstu jutību un uzticamību, fotorezista komponentu, infrasarkano gaismas diožu un lāzeru, tranzistoru, termisko fotoelementu elementu ražošanā. un termo-fotoelektriskās sistēmas.

Piegāde

Gallium Antimonide GaSb uzņēmumā Western Minmetals (SC) Corporation var piedāvāt ar n-tipa, p-veida un neleģētu pusizolācijas vadītspēju 2” 3” un 4” (50mm, 75mm, 100mm) diametrā, orientāciju <111> vai <100>, un ar vafeļu virsmas apdari ar grieztu, iegravētu, pulētu vai augstas kvalitātes epitaksijas apdari.Visām šķēlītēm identitātes noteikšanai ir individuāli pierakstīts lāzers.Tikmēr polikristāliskā gallija antimonīda GaSb gabals pēc pieprasījuma tiek pielāgots ideālam risinājumam.

Izmeklēšana tagad

Sīkāka informācija

Tagi

Tehniskā specifikācija

Gallija antimonīds

GaSb

Gallija antimonīda GaSbsubstrāts tiek izmantots visprogresīvākajos fotooptikas un optoelektronikas lietojumos, piemēram, foto detektoru, infrasarkano staru detektoru ar ilgu kalpošanas laiku, augstu jutību un uzticamību, fotorezista komponentu, infrasarkano gaismas diožu un lāzeru, tranzistoru, termisko fotoelementu un termoelementu ražošanā. - fotoelektriskās sistēmas.

	Preces	Standarta specifikācija
1	Izmērs	2"	3"	4"
2	Diametrs mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Augšanas metode	LEC	LEC	LEC
4	Vadītspēja	P-tips/leģēts ar Zn, neleģēts, N-tips/Te-leģēts
5	Orientēšanās	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Biezums μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientācija Plakans mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikācija Plakans mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitāte cm2/Vs	200-3500 vai pēc vajadzības
10	Nesēja koncentrācija cm-3	(1-100)E17 vai pēc vajadzības
11	TTV μm maks	15	15	15
12	Priekšgala μm maks	15	15	15
13	Velku μm maks	20	20	20
14	Dislokācijas blīvums cm-2 maks	500	1000	2000. gads
15	Virsmas apdare	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Iepakošana	Viens vafeļu konteiners, kas noslēgts alumīnija maisiņā.

Lineārā formula	GaSb
Molekulārais svars	191.48
Kristāla struktūra	Cinka maisījums
Izskats	Pelēka kristāliska cieta viela
Kušanas punkts	710°C
Vārīšanās punkts	N/A
Blīvums pie 300K	5,61 g/cm³
Enerģijas plaisa	0,726 eV
Iekšējā pretestība	1E3 Ω-cm
CAS numurs	12064-03-8
EK numurs	235-058-8

Gallija antimonīda GaSbWestern Minmetals (SC) Corporation var piedāvāt ar n-veida, p-veida un neleģētu pusizolācijas vadītspēju 2” 3” un 4” (50mm, 75mm, 100mm) diametrā, orientāciju <111> vai <100 > un ar vafeļu virsmas apdari pēc griezuma, iegravētas, pulētas vai augstas kvalitātes epitaksijai gatavas apdares.Visām šķēlītēm identitātes noteikšanai ir individuāli pierakstīts lāzers.Tikmēr polikristāliskā gallija antimonīda GaSb gabals pēc pieprasījuma tiek pielāgots ideālam risinājumam.