CZ silīcija vafele

Apraksts

CZ viena kristāla silīcija vafele ir sagriezts no monokristāla silīcija lietņa, kas izvilkts ar Czochralski CZ augšanas metodi, ko visplašāk izmanto lielu cilindrisku lietņu silīcija kristālu audzēšanai, ko izmanto elektronikas rūpniecībā pusvadītāju ierīču ražošanai.Šajā procesā smalka kristāliskā silīcija sēkla ar precīzām orientācijas pielaidēm tiek ievadīta izkausētā silīcija vannā, kuras temperatūra tiek precīzi kontrolēta.Sēklu kristāls tiek lēni vilkts uz augšu no kausējuma ļoti kontrolētā ātrumā, atomu kristāliskā sacietēšana no šķidrās fāzes notiek saskarnē, sēklu kristāls un tīģelis šī izņemšanas procesa laikā tiek pagriezti pretējos virzienos, radot lielu vienu kristālisks silīcijs ar sēklas perfektu kristālisko struktūru.

Pateicoties magnētiskajam laukam, kas tiek izmantots standarta CZ lietņu vilkšanai, magnētiskā lauka inducētais Czochralski MCZ monokristāla silīcijs ir ar salīdzinoši zemāku piemaisījumu koncentrāciju, zemāku skābekļa līmeni un dislokāciju, kā arī vienmērīgu pretestības variāciju, kas labi darbojas augsto tehnoloģiju elektroniskajos komponentos un ierīcēs. ražošana elektroniskajā vai fotoelektriskajā rūpniecībā.

Piegāde

CZ vai MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-tipa un p-veida vadītspēja uzņēmumā Western Minmetals (SC) Corporation var tikt piegādāta 2, 3, 4, 6, 8 un 12 collu diametrā (50, 75, 100, 125, 150, 200 un 300 mm), orientācija <100>, <110>, <111> ar virsmas apdari, kas ir pārklāta, iegravēta un pulēta putu kastes vai kasetes iepakojumā ar kartona kasti ārpusē.

Izmeklēšana tagad

Sīkāka informācija

Tagi

Tehniskā specifikācija

CZ silīcija vafele

CZ viena kristāla silīcija vafele ir pamatmateriāls integrālo shēmu, diožu, tranzistoru, diskrēto komponentu ražošanā, ko izmanto visu veidu elektroniskajās iekārtās un pusvadītāju ierīcēs, kā arī substrāts epitaksiālajā apstrādē, SOI vafeļu substrātu vai pusizolācijas savienojumu plāksnīšu ražošanā, īpaši liela izmēra 200 mm, 250 mm un 300 mm diametrs ir optimāli īpaši integrētu ierīču ražošanai.Viena kristāla silīciju lielos daudzumos izmanto arī saules baterijām fotoelementu rūpniecībā, kas gandrīz ideāla kristāla struktūra nodrošina visaugstāko gaismas pārveidošanas efektivitāti elektrībā.

Nē.	Preces	Standarta specifikācija
1	Izmērs	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Diametrs mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	Vadītspēja	P vai N vai neleģēts
4	Orientēšanās	<100>, <110>, <111>
5	Biezums μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 vai pēc vajadzības
6	Pretestība Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 utt
7	RRV maks	8%, 10%, 12%
8	Primārais plakans/garums mm	Pēc SEMI standarta vai pēc nepieciešamības
9	Sekundārais Plakans/Garums mm	Pēc SEMI standarta vai pēc nepieciešamības
10	TTV μm maks	10	10	10	10	10	10
11	Priekšgala un šķēru μm maks	30	30	30	30	30	30
12	Virsmas apdare	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	Iepakošana	Putuplasta kaste vai kasete iekšpusē, kartona kaste ārpusē.

Simbols	Si
Atomu skaits	14
Atomu svars	28.09
Elementu kategorija	Metaloīds
Grupa, Periods, Bloks	14, 3, P
Kristāla struktūra	Dimants
Krāsa	Tumši pelēks
Kušanas punkts	1414°C, 1687,15 K
Vārīšanās punkts	3265°C, 3538,15 K
Blīvums pie 300K	2,329 g/cm³
Iekšējā pretestība	3,2E5 Ω-cm
CAS numurs	7440-21-3
EK numurs	231-130-8

CZ vai MCZ viena kristāla silīcija vafelen-tipa un p-tipa vadītspēja uzņēmumā Western Minmetals (SC) Corporation var tikt piegādāta 2, 3, 4, 6, 8 un 12 collu diametrā (50, 75, 100, 125, 150, 200 un 300 mm), Orientācija <100>, <110>, <111> ar virsmas apdari pēc griezuma, pārsegta, iegravēta un pulēta putu kastes vai kasetes iepakojumā ar kartona kasti ārpusē.